Unité de séparation d'air et de gaz à semi-conducteurs-de haute pureté

Technologie de base

Prétraitement ultra-propre :"Filtration en trois étapes + double adsorption + désoxygénation catalytique » : les filtres ULPA et les tamis moléculaires à haute température-éliminent l'eau (point de rosée inférieur ou égal à -90 degrés) et le CO₂ (inférieur ou égal à 0,01 ppm), et les catalyseurs au palladium éliminent l'oxygène à moins ou égal à 0,1 ppm, jetant ainsi les bases de la distillation.
 

Purification par distillation cryogénique :"Cascade multi-tours + garniture à haute-efficacité" : la tour principale utilise une garniture ondulée de 316 L pour une séparation initiale jusqu'à une pureté de 5 N. Une tour de raffinage azote/argon est ajoutée pour obtenir une pureté finale de l'azote de 7N et une pureté de l'argon de 7,5N, éliminant les traces d'impuretés (méthane inférieur ou égal à 0,05 ppb).

 

Post-traitement ultra-propre- :Purification exclusive pour éviter la contamination secondaire – Les filtres en PTFE filtrent les particules supérieures ou égales à 0,01 μm, les colonnes échangeuses d'ions réduisent les ions métalliques et les cartouches de charbon actif contrôlent les COV à moins de ou égal à 0,05 ppb.
 

Contrôle de livraison stable :Système en boucle fermée-de haute-précision – MFC de qualité semi-conducteur-, tuyauterie de qualité EP-316L EP (Ra inférieur ou égal à 0,2 μm), soudage entièrement automatisé (taux qualifié de 100 %), conforme à SEMI F30.

 

principe de fonctionnement

 

 

 

Principe de prétraitement composite en plusieurs -étapes

Une combinaison en trois étapes : "filtration + adsorption + catalyse » : les filtres ULPA et les tamis moléculaires à haute température-éliminent l'eau (point de rosée inférieur ou égal à -90 degrés) et le CO₂ (inférieur ou égal à 0,01 ppm), tandis que les catalyseurs au palladium éliminent l'oxygène à moins ou égal à 0,1 ppm, jetant ainsi les bases d'une grande pureté.

 

 

Principe de distillation à froid profond et de séparation fractionnée

Exploitant les différences de points d'ébullition entre l'oxygène, l'azote et l'argon, plusieurs colonnes sont utilisées en série pour la purification : la colonne principale, avec un garnissage de 316 L, permet une séparation initiale à 5 N ; la colonne de raffinage azote/argon (-196 degrés) élimine les traces d'impuretés, atteignant finalement des concentrations d'azote de 7N et des concentrations d'argon de 7,5N (méthane inférieur ou égal à 0,05 ppb).

 

 

Principe de prévention de la pollution post-traitement ultra-propre-

La purification exclusive empêche la contamination secondaire : les filtres en PTFE, les colonnes échangeuses d'ions réduisent les ions métalliques (inférieurs ou égaux à 0,01 ppb) et les cartouches de charbon actif contrôlent les COV à moins ou égaux à 0,05 ppb, garantissant ainsi la propreté du gaz.

 

 

Principe de contrôle du transport en boucle fermée-de haute précision-

"Contrôle de haute-précision + tuyauterie propre" : les tuyauteries de qualité semi-conducteur-MFC et 316L EP-(Ra inférieur ou égal à 0,2 μm) sont soudées de manière entièrement automatique pour garantir un transport stable et une pureté intacte.

 

1. La pureté du gaz produit par cet équipement peut-elle être adaptée aux exigences des différents procédés de semi-conducteurs ?

Nous pouvons personnaliser les solutions de pureté en fonction des exigences spécifiques du processus. En ajustant le processus de la tour de raffinage et les modules de post-traitement, nous pouvons obtenir un résultat stable qui répond aux exigences des processus 14 nm. Les gaz de haute-pureté destinés aux processus avancés, y compris ceux ci-dessous, peuvent être optimisés pour les futures mises à niveau des processus sans nécessiter un remplacement complet de l'équipement.
 

2. Comment pouvons-nous prévenir la contamination secondaire par les gaz pendant le fonctionnement de l’équipement ? La production de semi-conducteurs exige des niveaux de propreté extrêmement élevés.

Ceci est garanti de deux manières : premièrement, un système de post-traitement ultra-propre- dédié élimine les minuscules particules et les ions métalliques grâce à des processus tels que l'ultrafiltration et l'échange d'ions. Deuxièmement, le processus de livraison utilise des matériaux de tuyauterie spécialisés et des techniques de soudage optimisées pour minimiser l'adsorption des impuretés sur les parois de la tuyauterie, empêchant ainsi la contamination secondaire des gaz tout au long du processus.
 

3. Pendant le fonctionnement de l'équipement, les fluctuations du débit de gaz et de la pression peuvent affecter le traitement des semi-conducteurs. Comment pouvons-nous garantir des paramètres stables ?

Un système de contrôle en boucle fermée de haute-précision-, associé à un contrôleur de débit professionnel pour un ajustement des paramètres en temps réel-et une conception de tuyauterie optimisée, contrôle efficacement les fluctuations de débit et de pression, garantissant des paramètres d'alimentation en gaz stables qui répondent aux exigences de précision des processus de semi-conducteurs.
 

4. La maintenance des équipements est-elle complexe ? La maintenance affectera-t-elle le fonctionnement continu de la chaîne de production de semi-conducteurs ?

Le processus de maintenance simplifié permet une alerte précoce de la maintenance des composants principaux grâce à une surveillance en ligne. Le système prend également en charge « la préfabrication hors ligne + la connexion en ligne ». Grâce à un modèle de maintenance complet, la maintenance critique ne nécessite que de brefs temps d'arrêt, et un plan d'approvisionnement en gaz temporaire sera élaboré pour minimiser les perturbations de la chaîne de production.

5. Si l’usine de semi-conducteurs augmente sa capacité à l’avenir, l’équipement existant peut-il être étendu ? Cette expansion est-elle difficile ?

L'équipement est doté de-ports d'extension intégrés. L'augmentation de la capacité nécessite uniquement l'ajout des modules de raffinage et des composants de transport correspondants, sans démonter le système de distillation de base. Des calculs de processus détaillés et une préfabrication sont effectués avant l'expansion, ce qui entraîne une courte période de construction sur site-et une complexité minimale, permettant une adaptation rapide aux besoins de croissance de capacité.

étiquette à chaud: unité de séparation d'air de gaz de haute pureté à semi-conducteurs-, unité de séparation d'air de gaz de haute pureté à semi-conducteurs-de Chine, fournisseurs, usine